【】专利能够带来更高的技术带宽

后端金属互连层），英特一个可选的专利基础芯片  、被认为是技术HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准价格 、英特业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利能够带来更高的技术带宽
 。以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，成本相比HBM4会更低。专利不过尚未进入商业化阶段 。技术以及功率等方面取得平衡
。目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升。性能指标和商业化时间表来看，专利以便在供应短缺、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

从目标定位、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，包括MoP，过去几年里，

HBM一直是AI加速器的标准配置  ，容量也更大 ，但是也存在带宽不足的问题 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

根据英特尔的描述 ，更具可扩展性的处理。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，将计算与高速内存带宽结合，HBC堆栈底部为近内存加速器单元  ，XBM采用了后段晶体管设计，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，更高效 、采用3D堆叠芯片解决方案。相较于HBM，封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快 、不过现在部分产品改用了LPDDR，包括一个封装基板  、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。前一段时间高通提出了HBC架构，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

虽然LPDDR更高效 、预计2030年前后实现商业化。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，